雙極性電晶體放大器電路分析

📝 歷屆考古題

• 114年 普考申論題 第一題
  一、如圖一所示雙極性電晶體（BJT）電路，其中電晶體參數為β = 75，VBE(on) = 0.7 V。試求電路中的電流IB及電壓VC。（25 分）
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• 114年 普考申論題 第一題
  VB
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• 114年 普考申論題 第二題
  re
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• 114年 普考申論題 第三題
  Rin
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• 114年 普考申論題 第四題
  Ro
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• 114年 普考申論題 第五題
  vo/vs
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• 111年 普考申論題 第三題
  矽晶的原子密度為 5 × 1022/cm3，電子本質濃度 ni = 1.5 × 1010/cm3，此矽晶摻雜硼（三價元素），濃度為 1/108。圓柱體矽晶樣本長度 L，截面積為A = 1 cm2，兩端…
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• 109年 普考申論題 第一題
  VB1 =？
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• 109年 普考申論題 第二題
  VB2 =？
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• 108年 普考申論題 第一題
  Rin=？
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• 108年 普考申論題 第二題
  Rout（不考慮負載）=？
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• 108年 普考申論題 第二題
  求算 Vx之最大值以確認電晶體不會進入飽和區。（5 分）
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• 108年 普考申論題 第三題
  開路之總增益（overall voltage gain），Gvo=Vo/Vs=？
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• 108年 普考申論題 第四題
  加負載之總增益（overall voltage gain），Gv=Vo/Vs=？
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• 106年 普考申論題 第一題
  計算輸入電阻Rin及輸出電阻Rout 。（10 分）
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• 106年 普考申論題 第二題
  計算整體電壓增益 Vout / Vsig 。（10 分）
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• 105年 普考申論題 第二題
  求電壓增益（A = vo/vi）。（15 分）
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• 105年 普考申論題 第五題
  一個 n-p-n BJT 電晶體,其ic-VBE特性為 ic = Is (exp(VBE/VT)-1);其中 Is = 10-14 A,VT = 25 mV。求電晶體在 VBE = 0.7 V 時的小…
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